공지사항

NIT인력양성 사업관련 대학공동시설 이용지원 프로그램 모집안내

운영자
2004.09.13 00:00 3,820 0

본문

제목: NIT 대학공동시설 이용지원 프로그램

(NIT Share-ISRC Program)

 

1. 목적

    과학기술부에서 주관하는 NT-IT 융합기술 인력양성 지원사업의 일환으로 반도체 공동연구소에 구축되어 있는 NIT 장비 및 시설을 이용하여 전국 대학 교수들과 대학원생들이 반도체 공동연구소의 NIT 장비 및 시설을 무상으로 제공하여 NIT 관련 연구를 수행하게 함으로써 실질적 연구 경험을 갖춘 고급 인력을 양성하고 공동 활용이 가능한 NIT 공정 기술 기반을 구축하고자 함.

 

2. 모집 대상

 - 반도체 시설을 이용하여 연구를 수행할 필요가 있는 전국 대학의 전임강사 이상

(학위 취득 5년 이내인 신진 연구자 우선 대상)

- NIT 관련 중소, 벤처 업체 (나노산업 연구조합 가입 회원사에 한함)

 

3. 참여 신청

  - 응모 기간: 2004 8 10 - 2004920

4. 연구 수행 기간

        - 200410 1– 2005330

 

5. 과제 수행 방법

- 본 연구소의 시설 및 장비를 사용하여 연구를 수행하며, 과제별로 연구비를 신청하고심사를 통하여 결정된 사용 한도액까지 시설, 장비, 재료를 사용.

    공정 처리비는 과제 수행 시 본 연구소의 시설 및 장비 사용 요율을 따름.

   (공정과 관련된 재료(wafer )를 포함하여 사용 한도액은 최대 500만원 범위 제공.)

- 일부 공정만을 본 연구소에서 수행하는 과제도 참여 가능, 과제의 성격(아래 표 참조)에 따라 새로운 공정개발 및 과제 참여자 직접 수행도 가능하며, 이 경우 ISRC의 장비 사용 가능자에 등록되어있거나 사용자 교육 프로그램을 이수해야 함.

 

6. 결과 보고 및 평가

시설 사용 결과에 대하여는 실험 종료 후 1주일 이내에 소정 양식(첨부파일: 별첨 참조)의 연구 결과 보고서를 3장 이상 제출하여야 하며, 본 사업과 관련하여 발생된 연구 논문에는 NIT 대학공동시설 이용지원 프로그램(NIT Share-ISRC Program) 지원으로 연구가 이루어 졌음을 명시해야 함.

 

7. 지원 분야

         지원 분야는 다음의 4 개 분야로 분류된다.

        - NIT CMOS 및 관련 공정

        - NIT 신소자 및 신소재

        - NIT MEMS

- NIT 신물질 및 기타분야

      4개 지원 분야의 세부 분야 및 사용 가능 장비()

 

세 부 분 야

대표적 사용 가능 장비(예시)

NIT CMOS

및 관련 공정

 나노 Patterning 

e-Beam Lithography

나노 구조 Etching

Device Technology related

Photo Lithography(Stepper, Aligner)

e-Beam Lithography

Etcher(poly, metal, Oxide )

ILD / IMD /HDPCVD

Ion Implantation

측정 및 분석 장비

NIT 신소자

및 신소재 

 

나노 공정

초고속 나노 소자

나노 광소자

Photo Lithography(Stepper, Aligner)

e-Beam Lithography

Etcher(poly, metal, Oxide )

Low temp. epi.

LPCVD

MOCVD (BST, GaN, InP)

측정 및 분석 장비