한국과학기술원(KAIST)은 전기및전자공학부 이가영 교수 연구팀이 실리콘의 전자 이동도와 포화 속도를 2배 이상 뛰어넘는 2차원 나노 반도체 인듐 셀레나이드(InSe) 기반 고이동도·초고속 소자를 개발했다고 20일 밝혔다. 

링크 : https://v.daum.net/v/20240320195802801