제목: NIT 대학공동시설 이용지원 프로그램
(NIT
Share-ISRC Program)
1. 목적
과학기술부에서 주관하는 “NT-IT 융합기술 인력양성 지원사업”의
일환으로 반도체 공동연구소에 구축되어 있는 NIT 장비 및 시설을 이용하여 전국 대학 교수들과 대학원생들이 반도체 공동연구소의 NIT 장비 및 시설을 무상으로 제공하여 NIT 관련 연구를 수행하게 함으로써 실질적 연구 경험을 갖춘 고급 인력을 양성하고
공동 활용이 가능한 NIT 공정 기술 기반을 구축하고자 함.
2. 모집 대상
- 반도체 시설을 이용하여 연구를 수행할 필요가 있는 전국 대학의 전임강사 이상
(학위 취득 5년 이내인 신진
연구자 우선 대상)
- NIT 관련 중소, 벤처 업체 (나노산업 연구조합 가입 회원사에 한함)
3. 참여 신청
- 응모 기간: 2004년 8월 10일 -
2004년 9월 20일
4. 연구 수행 기간
- 2004년 10월 1일 – 2005년
3월 30일
5. 과제 수행 방법
- 본 연구소의 시설 및 장비를 사용하여 연구를 수행하며, 과제별로 연구비를 신청하고, 심사를 통하여 결정된 사용 한도액까지
시설, 장비, 재료를 사용.
- 공정 처리비는 과제 수행 시 본 연구소의 시설 및 장비 사용 요율을
따름.
(공정과 관련된 재료(wafer 등)를 포함하여 사용 한도액은 최대 500만원 범위 제공.)
- 일부 공정만을 본 연구소에서 수행하는 과제도 참여 가능, 과제의 성격(아래 표 참조)에 따라 새로운 공정개발 및 과제 참여자 직접 수행도 가능하며, 이
경우 ISRC의 장비 사용 가능자에 등록되어있거나 사용자 교육 프로그램을 이수해야 함.
6. 결과 보고 및 평가
시설 사용 결과에 대하여는 실험 종료 후
1주일 이내에 소정 양식(첨부파일: 별첨
참조)의 연구 결과 보고서를 3장 이상 제출하여야
하며, 본 사업과 관련하여 발생된 연구 논문에는 “NIT
대학공동시설 이용지원 프로그램(NIT Share-ISRC
Program)” 지원으로 연구가 이루어 졌음을 명시해야 함.
7.
지원
분야
지원
분야는 다음의 4 개 분야로 분류된다.
- NIT CMOS 및
관련 공정
- NIT 신소자
및 신소재
- NIT MEMS
-
NIT 신물질
및 기타분야
※
4개 지원 분야의 세부 분야 및 사용 가능 장비(예)
세
부 분 야 |
대표적
사용 가능 장비(예시) | |
NIT
CMOS 및
관련 공정 |
나노
Patterning e-Beam Lithography 나노 구조 Etching Device Technology related |
Photo Lithography(Stepper,
Aligner) |
e-Beam Lithography | ||
Etcher(poly,
metal, Oxide 등) | ||
ILD / IMD /HDPCVD | ||
Ion Implantation | ||
측정 및 분석 장비 | ||
NIT
신소자
및 신소재
|
나노 공정 초고속 나노 소자 나노 광소자 |
Photo Lithography(Stepper,
Aligner) |
e-Beam Lithography | ||
Etcher(poly,
metal, Oxide 등) | ||
Low temp. epi. | ||
LPCVD | ||
MOCVD
(BST, GaN, InP등) | ||
측정 및 분석 장비 |