
제목: NIT 대학공동시설 이용지원 프로그램
(NIT 
Share-ISRC Program) 
1. 목적
    과학기술부에서 주관하는 “NT-IT 융합기술 인력양성 지원사업”의 
일환으로 반도체 공동연구소에 구축되어 있는 NIT 장비 및 시설을 이용하여 전국 대학 교수들과 대학원생들이 반도체 공동연구소의 NIT 장비 및 시설을 무상으로 제공하여 NIT 관련 연구를 수행하게 함으로써 실질적 연구 경험을 갖춘 고급 인력을 양성하고 
공동 활용이 가능한 NIT 공정 기술 기반을 구축하고자 함.
2. 모집 대상
 - 반도체 시설을 이용하여 연구를 수행할 필요가 있는 전국 대학의 전임강사 이상 
(학위 취득 5년 이내인 신진 
연구자 우선 대상)
- NIT 관련 중소, 벤처 업체 (나노산업 연구조합 가입 회원사에 한함)
3. 참여 신청 
  - 응모 기간: 2004년 8월 10일 - 
2004년 9월 20일
4. 연구 수행 기간 
       
 - 2004년 10월 1일 – 2005년 
3월 30일
5. 과제 수행 방법 
- 본 연구소의 시설 및 장비를 사용하여 연구를 수행하며, 과제별로 연구비를 신청하고, 심사를 통하여 결정된 사용 한도액까지 
시설, 장비, 재료를 사용.
    -  공정 처리비는 과제 수행 시 본 연구소의 시설 및 장비 사용 요율을 
따름.
   (공정과 관련된 재료(wafer 등)를 포함하여 사용 한도액은 최대 500만원 범위 제공.)
- 일부 공정만을 본 연구소에서 수행하는 과제도 참여 가능, 과제의 성격(아래 표 참조)에 따라 새로운 공정개발 및 과제 참여자 직접 수행도 가능하며, 이 
경우 ISRC의 장비 사용 가능자에 등록되어있거나 사용자 교육 프로그램을 이수해야 함.
6. 결과 보고 및 평가 
시설 사용 결과에 대하여는 실험 종료 후 
1주일 이내에 소정 양식(첨부파일: 별첨 
참조)의 연구 결과 보고서를 3장 이상 제출하여야 
하며, 본 사업과 관련하여 발생된 연구 논문에는 “NIT 
대학공동시설 이용지원 프로그램(NIT Share-ISRC 
Program)” 지원으로 연구가 이루어 졌음을 명시해야 함. 
7. 
지원 
분야 
        
 지원 
분야는 다음의 4 개 분야로 분류된다. 
      
  
- NIT CMOS 및 
관련 공정 
        
- NIT 신소자 
및 신소재 
        - NIT MEMS 
- 
NIT 신물질 
및 기타분야
      
※ 
4개 지원 분야의 세부 분야 및 사용 가능 장비(예) 
| 
 세 
부 분 야  | 
 대표적 
사용 가능 장비(예시)  | |
| 
 NIT 
CMOS  및 
관련 공정  | 
  나노 
Patterning  e-Beam Lithography 나노 구조 Etching Device Technology related  | 
 Photo Lithography(Stepper, 
Aligner)  | 
| 
 e-Beam Lithography  | ||
| 
 Etcher(poly, 
metal, Oxide 등)   | ||
| 
 ILD / IMD /HDPCVD  | ||
| 
 Ion Implantation  | ||
| 
 측정 및 분석 장비  | ||
| 
 NIT 
신소자 
 및 신소재  
    | 
 나노 공정 초고속 나노 소자 나노 광소자  | 
 Photo Lithography(Stepper, 
Aligner)  | 
| 
 e-Beam Lithography  | ||
| 
 Etcher(poly, 
metal, Oxide 등)  | ||
| 
 Low temp. epi.  | ||
| 
 LPCVD  | ||
| 
 MOCVD 
(BST, GaN, InP등)  | ||
| 
 측정 및 분석 장비  |