▶ NSI Workshop Series - Ⅲ ◀

Numerical Modeling of NANO CMOS Devices

- Toward Unified Reliability & Statistical Modeling -

CMOS 소자가 나노 스케일로 소형화 되어가면서, 반도체 소자의 통계적 불안정, 그리고 신뢰성 열화가 중요한 제한 요인이 되고 있습니다. 본 나노응용시스템연구센터에서는 서울대학교 '물리전자연구실'의 접근방법을 중심으로 'Numerical Modeling of NANO CMOS Devices; Toward Unified Reliability & Statistical Modeling' 워크샵을 개최합니다. 이 워크샵에서는 신뢰성 고장의 가장 큰 요인인 산화막 열화와 소자의 잡음 등을 어떻게 통합적으로 고려할 지에 대한 연구방향을 같이 고민하는 자리가 될 것입니다. 산, 학, 연구계의 많은 참여를 바랍니다.

서울대학교 나노응용시스템연구센터 소장 박영준

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■ 일    시 :  2007년 6월 18일 (월) 13:00-18:00

■ 장    소 :  서울대학교 BK연구동 39동 B1 다목적회의실

■ 주    최 :  서울대학교 나노응용시스템 국가핵심연구센터

   서울대학교 전기컴퓨터공학부 물리전자연구실

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■ 프로그램

■ 등록안내

◦ 방    법 : 등록비 납부 후 ‘성명, 소속, 직책, 연락처’ 이메일(hslee@snu.ac.kr) 송부

◦ 등 록 비 :  사전등록 (일반 100,000원 / 학생 50,000원)

       현장등록 (일반 120,000원 / 학생 60,000원)

◦ 입금계좌 :  농협중앙회 079-17-058485 (예금주 : 나노응용시스템연구소)

◦ 마    감 :  2007년 6월 14일 (목) 오후 6시

◦ 문    의 :  이한성 (Tel : 02-880-9063)

■ 기    타

◦ 주차장이 협소하오니 대중교통을 이용해주시기 바랍니다.

◦ 기타 상세사항은 홈페이지(http://nsi.snu.ac.kr)를 참고하시기 바랍니다.