삼성전자가 차세대 D램 메모리의 내년 양산을 발표하며, 공정의 구체적인 '회로 선폭'을 12나노급이라고 공개적으로 밝혀 눈길을 끈다.

그동안 회로 선폭은 정확한 숫자를 공개하지 않는 게 업계 불문율이었다. 하지만 삼성전자는 구체적인 수치를 공개하며 최선단 제품 경쟁력에 대한 자신감을 드러냈다는 분석이다.

링크 : https://v.daum.net/v/20221222103430597